通常，為了尋求更寬敞的生活空間，人們必須搬離市區(qū)。儘管住在市區(qū)生活便利，鄰近工作場(chǎng)所，但這些人更希望能夠搬到房子更大、院子更寬敞的郊區(qū)住宅。同樣地，當(dāng)工程師需要使用大電流用於負(fù)載點(diǎn)(POL)設(shè)計(jì)時(shí)，他們通常會(huì)放棄使用簡(jiǎn)便的高密度轉(zhuǎn)換器（搭配整合式MOSFET電晶體），轉(zhuǎn)而利用較複雜加入控制器（外部MOSFET電晶體）的解決方案。控制器，與郊區(qū)環(huán)境類似，相對(duì)地來(lái)說(shuō)，具有較高的彈性和經(jīng)濟(jì)效益，但會(huì)佔(zhàn)據(jù)更大的土地空間─亦即更多的電路板空間。

圖1 : 市區(qū)和郊區(qū)透過(guò)轉(zhuǎn)換器或控制器來(lái)調(diào)節(jié)高電流電壓有不同的效益

直至近期，電流超過(guò)10-15A的應(yīng)用一般會(huì)仰賴搭配外部MOSFET電晶體的控制器。設(shè)計(jì)簡(jiǎn)易、物料清單(BOM)零件少、以及高可靠性的高密度解決方案的轉(zhuǎn)換器，通常只能提供有限的電量。

網(wǎng)路路由器、開關(guān)、企業(yè)伺服器和嵌入式工業(yè)系統(tǒng)等應(yīng)用的耗電量越來(lái)越高，它們的POL設(shè)計(jì)需要20A、30A、40A甚至更多電量。然而，這些應(yīng)用有極大的空間限制，很難與採(cǎi)用控制器和外部MOSFET電晶體的解決方案相容。而問(wèn)題在於，在一個(gè)需要大電流的應(yīng)用中，該如何使用轉(zhuǎn)換器而非控制器呢？

答案其實(shí)就在最新的MOSFET和封裝技術(shù)的進(jìn)展當(dāng)中。新一代MOSFET電晶體，如德州儀器的NexFET電源MOSFET，在矽晶體內(nèi)有較低的電阻率（Rdson），可進(jìn)而提高電子流動(dòng)的能力。透過(guò)PowerStack封裝技術(shù) 堆疊積體電路（IC）和MOSFET電晶體─就像市區(qū)中密密麻麻的建築，能夠在特定的空間內(nèi)容納更多東西。

圖2 : 控制器匯集成電路和MOSFET垂直堆疊在PowerStack封裝中

PowerStack封裝技術(shù)中矽晶圓堆疊和彈片焊接的獨(dú)特組合，可使四方平面無(wú)引腳封裝解決方案集成度更高，實(shí)現(xiàn)尺寸更小、熱力表現(xiàn)更佳、比傳統(tǒng)多層疊加MOSFET電晶體的解決方案有更高的電子流動(dòng)能力。

透過(guò)先進(jìn)的MOSFET電晶體和封裝技術(shù)，德州儀器集成FET轉(zhuǎn)換器的產(chǎn)品，可用於高功率和高密度的POL應(yīng)用。TPS548D22屬於德州儀器高電流同步SWIFT DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器系列，可提供高達(dá)40A的連續(xù)電流，並採(cǎi)用40 管腳、5mm×7mm×1.5mm節(jié)省布線的QFN PowerStack封裝技術(shù)。現(xiàn)在，那些不得不搬到郊區(qū)的人，可以開始考慮搬回市區(qū)了！