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SEMI:2025年全球晶圓廠設(shè)備投資破千億 晶背供電、2nm技術(shù)可望量產(chǎn)
[SmartAuto 陳念舜 報導(dǎo)]   2025年03月27日 星期四 瀏覽人次: [3741]

SEMI國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會於今(27)日公布最新一季全球晶圓廠預(yù)測報告(World Fab Forecast)中指出,2025年全球用於前端設(shè)施的晶圓廠設(shè)備支出,將自2020年以來連續(xù)6年成長,較去年同比上升2%達(dá)1,100 億美元。

SEMI預(yù)估2025年全球用於前端設(shè)施的晶圓廠設(shè)備支出,將自2020年以來連續(xù)6年成長,較去年同比上升2%達(dá)1,100 億美元。
SEMI預(yù)估2025年全球用於前端設(shè)施的晶圓廠設(shè)備支出,將自2020年以來連續(xù)6年成長,較去年同比上升2%達(dá)1,100 億美元。

其中預(yù)估明年晶圓廠設(shè)備支出將更成長18%,一舉攻上1,300億美元。主要受惠於高效能運算(HPC),和記憶體類別支援資料中心擴(kuò)展的需求所帶動;加上人工智慧(AI)整合度不斷提高,讓邊緣裝置所需矽產(chǎn)品不斷攀升所致。

SEMI全球行銷長暨臺灣區(qū)總裁曹世綸表示:「如今全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對晶圓廠設(shè)備的投資已經(jīng)連續(xù)6年成長,隨著 AI 相關(guān)晶片需求持續(xù)走強產(chǎn)量大增,2026年更將大幅增 18%?!?/p>

邏輯微元件(Logic & Micro)類別則將在2奈米製程和晶背供電技術(shù)(Backside Power Delivery Technology)等先進(jìn)技術(shù)投資推波助瀾下,成為晶圓廠投資成長的關(guān)鍵驅(qū)動力。相關(guān)技術(shù)可望於2026年投產(chǎn)。邏輯微元件類別投資將上升11%,2025年達(dá)520億美元;2026年增加 14%,達(dá)590億美元。

至於未來兩年記憶體類別整體支出穩(wěn)步增長,2025年小漲2%至32億美元,2026年成長27%的強勁增幅。其中DRAM 類別投資先降後升,2025年同比下降6%至210億美元,2026年反彈成長19%至250億美元;NAND類別支出大規(guī)模復(fù)甦,年增54%;2025 年達(dá)100億美元,2026年進(jìn)一步成長47%,直衝150億美元。

值得一提的是,儘管比起2024年500億美元的高峰值有所下降,中國大陸仍穩(wěn)居全球半導(dǎo)體設(shè)備支出龍頭,2025年總值為380億美元,較前一年減少24%;2026年支出再跌5%,來到360億美元。

且因為AI技術(shù)日益普及推升記憶體採用量,南韓晶片製造商計劃增加設(shè)備投資,推動產(chǎn)能擴(kuò)張和技術(shù)升級,2026年可望成為支出排行次高的地區(qū)。自2025年設(shè)備投資額預(yù)計成長29%至215 億美元,2026年增加26%,來到270億美元。

臺灣則在晶片廠持續(xù)加強先進(jìn)技術(shù)和生產(chǎn)能力領(lǐng)先地位同時,固守設(shè)備支出居第三名。2025 年及2026年投資額,預(yù)計可分別達(dá)到210億美元和245億美元,以滿足跨雲(yún)端服務(wù)和邊緣裝置領(lǐng)域不斷增長的AI應(yīng)用需求。

美洲地區(qū)排名第四,2025年支出來到140 億美元、2026 年為200億美元。日本、歐洲和中東以及東南亞地區(qū)設(shè)備投資緊追在後,2025年支出分別為140 億美元、90 億美元和 40 億美元,2026 年為110 億美元、70 億美元和 40 億美元。

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