太空應(yīng)用電源必須可以承受極端的太空環(huán)境，並在抗輻射技術(shù)環(huán)境中運(yùn)作無(wú)礙，防止遭受到極端粒子相互作用及太陽(yáng)和電磁事件的影響失效發(fā)生事端，導(dǎo)致降低太空系統(tǒng)的效能並干擾運(yùn)行。為滿(mǎn)足此一要求，Microchip今日宣佈其M6 MRH25N12U3抗輻射型250V、0.21歐姆Rds（on）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)電晶體（MOSFET）獲得商業(yè)航太和國(guó)防太空應(yīng)用認(rèn)證。
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| Microchip抗輻射型M6 MRH25N12U3矽電晶體可以承受極端的太空環(huán)境，增強(qiáng)電源電路可靠性。 |
Microchip耐輻射M6 MRH25N12U3 MOSFET為電源轉(zhuǎn)換電路提供主要的開(kāi)關(guān)元件，包括負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)和控制以及通用開(kāi)關(guān)。這款MOSFET元件能夠承受惡劣的太空環(huán)境，增強(qiáng)電源電路的可靠性，並以更高的效能滿(mǎn)足MIL-PRF19500/746的所有要求。
M6 MRH25N12U3 MOSFET可用於未來(lái)的衛(wèi)星系統(tǒng)，也可作為現(xiàn)有系統(tǒng)的備用電源。
新元件可以承受高達(dá)100 krad和300 krad的總電離劑量（TID）以及高達(dá)87 MeV/mg/cm2的線(xiàn)性能量轉(zhuǎn)移（LET）的單一事件效應(yīng)（SEE）。在驗(yàn)證測(cè)試中，元件的晶圓批次耐輻射合格率達(dá)到100%。
Microchip分離式產(chǎn)品業(yè)務(wù)部副總裁Leon Gross表示：「Microchip進(jìn)入耐輻射MOSFET市場(chǎng)，體現(xiàn)了我們致力於為客戶(hù)提供支援，為航空航太和國(guó)防OEM廠(chǎng)商和整合商提供高效能解決方案和持續(xù)供應(yīng)的長(zhǎng)期承諾。」
M6 MRH25N12U3屬於Microchip豐富的航空、國(guó)防和航太技術(shù)產(chǎn)品線(xiàn)。此外，搭配微控制器（MCU）和類(lèi)比產(chǎn)品，能夠因應(yīng)大功率系統(tǒng)控制、閘極驅(qū)動(dòng)器和功率級(jí)的需求。Microchip在不斷推出新技術(shù)的同時(shí)，還尋求與航太產(chǎn)品製造商和整合商合作，保障現(xiàn)有和未來(lái)系統(tǒng)供應(yīng)鏈的穩(wěn)定。
