太空應用電源必須可以承受極端的太空環境，并在抗輻射技術環境中運作無礙，防止遭受到極端粒子相互作用及太陽和電磁事件的影響失效發生事端，導致降低太空系統的效能并干擾運行。為滿足此一要求，Microchip今日宣布其M6 MRH25N12U3抗輻射型250V、0.21歐姆Rds（on）金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）獲得商業航太和國防太空應用認證。
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| Microchip抗輻射型M6 MRH25N12U3矽電晶體可以承受極端的太空環境，增強電源電路可靠性。 |
Microchip耐輻射M6 MRH25N12U3 MOSFET為電源轉換電路提供主要的開關元件，包括負載點轉換器、DC-DC轉換器、馬達驅動和控制以及通用開關。這款MOSFET元件能夠承受惡劣的太空環境，增強電源電路的可靠性，并以更高的效能滿足MIL-PRF19500/746的所有要求。
M6 MRH25N12U3 MOSFET可用于未來的衛星系統，也可作為現有系統的備用電源。
新元件可以承受高達100 krad和300 krad的總電離劑量（TID）以及高達87 MeV/mg/cm2的線性能量轉移（LET）的單一事件效應（SEE）。在驗證測試中，元件的晶圓批次耐輻射合格率達到100%。
Microchip分離式產品業務部副總裁Leon Gross表示：「Microchip進入耐輻射MOSFET市場，體現了我們致力于為客戶提供支援，為航空航太和國防OEM廠商和整合商提供高效能解決方案和持續供應的長期承諾。」
M6 MRH25N12U3屬于Microchip豐富的航空、國防和航太技術產品線。此外，搭配微控制器（MCU）和類比產品，能夠因應大功率系統控制、閘極驅動器和功率級的需求。 Microchip在不斷推出新技術的同時，還尋求與航太產品制造商和整合商合作，保障現有和未來系統供應鏈的穩定。
