ROHM推出600V耐壓超接合面MOSFET「PrestoMOS」系列產(chǎn)品，在保持最快反向恢復(fù)時(shí)間（trr）的同時(shí)，提高設(shè)計(jì)靈活度，非常適用於空調(diào)、冰箱等生活家電的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)以及EV充電樁，而該「R60xxJNx系列」產(chǎn)品群於近期又新增共30種機(jī)型。
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| ROHM推出600V SuperJunction MOSFET PrestoMOS |
此次研發(fā)的新系列產(chǎn)品與傳統(tǒng)產(chǎn)品同樣利用了ROHM的LifeTime控制技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了最快的反向恢復(fù)時(shí)間（trr）。與IGBT相比，輕負(fù)載時(shí)的功耗成功減少了58%左右。另外，透過提高導(dǎo)通MOSFET所需要的電壓基準(zhǔn)，可以避免發(fā)生造成損耗增加原因之一的誤開啟（Self Turn-on）現(xiàn)象。不僅如此，還透過最佳化內(nèi)建二極體的特性，改善了超接合面MOSFET特有的軟恢復(fù)指數(shù)，可減少引發(fā)誤動(dòng)作的雜訊干擾。透過減少這些阻礙使用者實(shí) 行最佳化電路時(shí)的障礙，以提高設(shè)計(jì)靈活度。
據(jù)瞭解，在全球的功率需求中，近50%用於馬達(dá)驅(qū)動(dòng)，隨著生活家電在新興國(guó)家的普及，馬達(dá)驅(qū)動(dòng)帶來的功率消耗量預(yù)計(jì)會(huì)逐年增加。一般來說，包括空調(diào)和冰箱在內(nèi)，生活家電多使用變頻電路進(jìn)行馬達(dá)驅(qū)動(dòng)，而變頻電路的開關(guān)元件通常會(huì)使用IGBT。然而，近年來在節(jié)能性能需求高漲的大趨勢(shì)下，可有效降低裝置穩(wěn)定運(yùn)行時(shí)功耗的MOSFET正在逐步取代IGBT。
Presto表示“極快”，是源自於義大利語的音樂術(shù)語。通常MOSFET具有快速開關(guān)以及在低電流範(fàn)圍的低導(dǎo)通損耗的優(yōu)勢(shì)。例如，用於空調(diào)的情況下，非常有助於穩(wěn)定運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)實(shí)現(xiàn)低功耗。PrestoMOS正是在低電流範(fàn)圍實(shí)現(xiàn)低功耗、以業(yè)界最快的反向恢 復(fù)時(shí)間（trr）為特點(diǎn)的ROHM獨(dú)創(chuàng)的功率MOSFET。
開關(guān)速度的高速化與誤開啟現(xiàn)象、雜訊干擾是相悖的，使用者在電路設(shè)計(jì)時(shí)需要透過調(diào)整閘極電阻來進(jìn)行最佳化。與一般的MOSFET相比，ROHM的R60xxJNx系列已經(jīng)採(cǎi)取了針對(duì)誤開啟現(xiàn)象以及雜訊的對(duì)策，有助於提高設(shè)計(jì)靈活 度。
避免增加損耗的誤開啟對(duì)策
本系列產(chǎn)品透過最佳化 MOSFET 結(jié)構(gòu)上存在的寄生電容，將開關(guān)時(shí)的額外閘極電壓降低了20％。另外，使MOSFET導(dǎo)通所需的閾值電壓（Vth）增加了約1.5倍，是“不易產(chǎn)生誤開啟現(xiàn)象的設(shè)計(jì)”。因此，擴(kuò)大了用戶透過閘極電阻來進(jìn)行損耗調(diào)節(jié)的範(fàn)圍。
改善恢復(fù)特性，減少雜訊干擾
一般來說，超接合面MOSFET的內(nèi)建二極體的恢復(fù)特性為硬恢復(fù)。 然而，ROHM的R60xxJNx系列，透過最佳化結(jié)構(gòu)，與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比， 新產(chǎn)品的軟恢復(fù)指數(shù)改善了30％，不僅保持了業(yè)界最快的反向恢復(fù) 時(shí)間（trr），還成功減少了雜訊干擾。因此，用戶可更輕易地透過閘極 電阻來調(diào)節(jié)雜訊干擾。
