力旺電子宣布，其新開發(fā)之超低功耗多次可程序（Multiple-Time Programmable，MTP）硅智財具有3uW以下低讀取功耗、0.7 V低讀取電壓、10萬次以上多次存取、尺寸微小與優(yōu)異的成本優(yōu)勢，可取代過去物聯(lián)網(wǎng)應用普遍采用的外掛式EEPROM芯片，提升信息安全， 或協(xié)助客戶將昂貴的嵌入式EEPROM制程改為邏輯（Logic）制程生產，強化成本競爭力，為應用客戶搶攻物聯(lián)網(wǎng)（IoT）商機的最佳選擇。

力旺電子新開發(fā)之超低功耗多次可程序（MTP）硅智財

力旺電子MTP硅智財擁有輕薄短小、省電、高效能、數(shù)據(jù)安全、同時兼顧成本競爭力的特性，可廣泛支持物聯(lián)網(wǎng)相關產品應用，包含聯(lián)網(wǎng)（Connectivity）、數(shù)據(jù)運算（Processing）、感測（Sensing）、電源管理（Power Management）與安全（Security）五大領域，特別適合2.4GHz無線射頻芯片（Radio Frequency IC，RFIC IC）、微控制器（Microcontroller，MCU）、微機電控制芯片（MEMS Controller）、影像傳感器芯片（CMOS Image Sensor，CIS）與電源管理芯片（Power Management IC，PMIC）。新開發(fā)完成之超低功耗MTP硅智財提供低電壓與低功耗的優(yōu)勢，更能為物聯(lián)網(wǎng)大量運用之無線射頻辨識芯片（Radio Frequency Identification IC，RFID IC）、近場無線通信芯片（Near Field Communication IC，NFC IC）與藍牙芯片（Bluetooth IC）提升附加價值。

力旺電子超低功耗MTP硅智財與標準CMOS邏輯制程完全兼容，無需增加額外光罩，易于轉廠及整合至不同制程平臺，現(xiàn)已布建于0.11微米低漏電制程平臺上，其功能廣泛涵蓋組態(tài)設定（Configuration Setting）、狀態(tài)儲存（Status Storage）、調校（Trimming）與密鑰儲存（Security Key Storage）。 透過內硅智財取代傳統(tǒng)外掛式EEPROM芯片，能同時克服外掛式芯片數(shù)據(jù)容易遭到竊取的缺點，以及有效降低客戶產品生產成本。其低抹寫消耗電量的特性，亦可有效降低能耗，提高電子產品電池續(xù)航力的優(yōu)勢，使超低功耗MTP硅智財成為物聯(lián)網(wǎng)應用客戶強化市場競爭力的最佳利器。