服務(wù)橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域之全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出具備 xMemory 的 Stellar 微控制器，這項新一代延展性記憶體已內(nèi)嵌於 Stellar 車用微控制器中，將徹底改變軟體定義車輛（SDV）與新世代電動化平臺開發(fā)中具挑戰(zhàn)性的流程。
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| 意法半導(dǎo)體推出創(chuàng)新記憶體技術(shù)，加速新世代車用微控制器開發(fā)與演進 |
相較於需管理多種具不同記憶體選項的裝置及相關(guān)開發(fā)與驗證成本，Stellar xMemory 採用單一創(chuàng)新裝置、內(nèi)建延展性記憶體，為客戶帶來高效率且具成本效益的解決方案。自一開始即採用更簡化的方式，有助於車廠預(yù)作準(zhǔn)備、提升設(shè)計的前瞻性，並在後續(xù)開發(fā)週期中保留持續(xù)創(chuàng)新的空間，同時降低開發(fā)成本、簡化供應(yīng)鏈，加快產(chǎn)品上市時程。Stellar xMemory 將率先導(dǎo)入 Stellar P6 微控制器，鎖定新一代電動車（EV）的動力系統(tǒng)趨勢與架構(gòu)，並預(yù)計於 2025 年稍後時間開始生產(chǎn)。
意法半導(dǎo)體微控制器產(chǎn)品事業(yè)群副總裁暨通用與車用微控制器部總經(jīng)理 Luca Rodeschini 表示，「意法半導(dǎo)體為車用市場打造先進記憶體技術(shù)，具備業(yè)界最小的記憶體單元面積，以滿足對記憶體永無止盡的需求。Stellar xMemory 可簡化未來車輛架構(gòu)，提升成本效率，並大幅縮短車廠的開發(fā)時間。這項創(chuàng)新解決方案讓同一套硬體即可提供完整的基礎(chǔ)架構(gòu)與彈性空間，協(xié)助車廠持續(xù)推動產(chǎn)品創(chuàng)新，安心導(dǎo)入數(shù)位化與電動化的新應(yīng)用，保持市場領(lǐng)先地位，並延長車款生命週期。」
博世（Bosch）副總裁 Axel Aue 則表示，「Stellar 採用內(nèi)嵌式相變記憶體（PCM）技術(shù)，提供穩(wěn)定且具彈性的記憶體設(shè)計，能打造高效能、具擴充彈性的車用微控制器。與其他記憶體技術(shù)（如 RRAM 與 MRAM）相比，PCM 在應(yīng)用層面具備多項優(yōu)勢。」
Moor Insights & Strategy 首席分析師 Anshel Sag 指出，「選用如 Stellar xMemory 這類具延展性的微控制器，工程師便可避免因支援新增軟體功能而產(chǎn)生昂貴的硬體重設(shè)成本。隨著軟體規(guī)模勢必逐步擴增，無論在初期開發(fā)階段或產(chǎn)品推出後透過 OTA 更新，同一平臺皆可直接升級，顯著縮短產(chǎn)品上市時程並降低維護成本。此外，Stellar xMemory 也有助於簡化物流流程與提升物料清單管理效率。」
運作原理
車廠在開發(fā)過程中亟需軟體與硬體的無縫整合，以最大化平臺間的重複使用、延長車輛使用年限，並強化數(shù)位功能。然而，隨著軟體日益複雜，包括新功能導(dǎo)入、法規(guī)遵循、對記憶體需求極高的 AI 與機器學(xué)習(xí)應(yīng)用，以及空中下載（OTA）更新，記憶體正逐漸成為限制因素。意法半導(dǎo)體推出的 xMemory 解決這項挑戰(zhàn)，可在開發(fā)階段或車輛部署後擴充可用記憶體，讓車廠能靈活升級應(yīng)用功能。
在軟體定義車輛（SDV）開發(fā)初期即選擇具備足夠內(nèi)建記憶體的微控制器，有助於確保未來軟體擴充所需的資源。一開始若選擇過高規(guī)格的記憶體將推升成本，反之若記憶體配置不足，則可能需重新尋找並驗證其他容量更大的 MCU，增加開發(fā)複雜度、成本與時程風(fēng)險。內(nèi)建 xMemory 的 Stellar MCU 採具競爭力的價格策略，可協(xié)助車廠降低成本、簡化供應(yīng)鏈，並透過延長產(chǎn)品壽命與跨專案重複使用，加快開發(fā)時程與驗證流程，縮短產(chǎn)品上市時間。
關(guān)於 PCM 與 Stellar 架構(gòu)之技術(shù)資訊
意法半導(dǎo)體在車用微控制器記憶體技術(shù)從 Flash 過渡至內(nèi)嵌非揮發(fā)性記憶體（eNVM）的轉(zhuǎn)型歷程中始終居於領(lǐng)先地位，率先推出首款通過車規(guī)認(rèn)證、採用 28 奈米製程的 eNVM 技術(shù)，亦為 xMemory 架構(gòu)的核心。意法半導(dǎo)體的內(nèi)嵌式相變記憶體（ePCM）在功耗、效能與晶片面積（PPA）三項指標(biāo)上，相較於 RRAM、MRAM 及 Flash 等其他非揮發(fā)性記憶體技術(shù)，展現(xiàn)出更優(yōu)異的表現(xiàn)。
採用目前業(yè)界最小的 eNVM 記憶體單元面積，PCM 以 18 奈米與 28 奈米製程打造，其記憶密度為其他技術(shù)的兩倍。
最新一代 PCM 技術(shù)將廣泛應(yīng)用於未來採用 ArmR 架構(gòu)之所有的 Stellar P 與 Stellar G 車用微控制器。Stellar 系列專為車用應(yīng)用設(shè)計，可簡化車輛電氣架構(gòu)，進一步提升效能、彈性與安全性。產(chǎn)品組合涵蓋 Stellar Integration 微控制器（Stellar P 與 Stellar G 系列），適用於區(qū)控制器、域控制器與車身應(yīng)用，可整合原本分散的通訊與控制 ECU 功能；以及 Stellar Electrification 微控制器（Stellar E 系列），專為優(yōu)化電動車驅(qū)動模組中的功率轉(zhuǎn)換器控制需求。
