意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，ST）推出了一項(xiàng)18奈米完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體（Fully Depleted Silicon On Insulator，F(xiàn)D-SOI）技術(shù)並整合嵌入式相變記憶體（ePCM）的先進(jìn)製程，支援下一代嵌入式處理器進(jìn)化升級(jí)。這項(xiàng)新製程技術(shù)是意法半導(dǎo)體和三星晶圓代工廠共同研發(fā)，使嵌入式處理應(yīng)用能夠大幅提升性能和降低功耗，同時(shí)還能整合容量更大的記憶體和更多的類(lèi)比和數(shù)位外部周邊。搭載新技術(shù)的首款下一代STM32微控制器產(chǎn)品將於2024下半年開(kāi)始提供部分客戶(hù)樣片，並預(yù)計(jì)於2025年下半年排產(chǎn)。

意法半導(dǎo)體突破20奈米技術(shù)節(jié)點(diǎn)，提升新一代微控制器成本競(jìng)爭(zhēng)力

意法半導(dǎo)體微控制器、數(shù)位IC和射頻產(chǎn)品部總裁Remi El-Ouazzane表示，「身為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)之創(chuàng)新企業(yè)，意法半導(dǎo)體率先為客戶(hù)提供車(chē)用級(jí)和航太級(jí)FD-SOI和PCM技術(shù)。我們的下一步行動(dòng)將從下一代STM32微控制器開(kāi)始，讓工業(yè)應(yīng)用開(kāi)發(fā)者也能享受到這兩項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)帶來(lái)的諸多益處。」

技術(shù)優(yōu)勢(shì)

相較於目前在用之意法半導(dǎo)體40奈米嵌入式非易失性記憶體（eNVM）技術(shù)，整合ePCM的18奈米FD-SOI製程可以極大幅提升關(guān)鍵的品質(zhì)因數(shù)：

?性能功耗比提升50%以上

?非易失性記憶體（NVM）之密度是現(xiàn)有技術(shù)的2.5倍，可以在晶片上整合容量更大的記憶體

?數(shù)位電路密度是現(xiàn)有技術(shù)的三倍，可以整合人工智慧、圖形加速器等數(shù)位外部周邊，以及最先進(jìn)的安全保護(hù)功能

?雜訊係數(shù)改善3dB，強(qiáng)化無(wú)線MCU的射頻性能

該技術(shù)能夠在3V電壓下運(yùn)行，可為類(lèi)比功能提供電源，例如電源管理、重置系統(tǒng)、時(shí)鐘源和數(shù)位／類(lèi)比轉(zhuǎn)換器等，是20奈米以下唯一支援此功能的半導(dǎo)體製程技術(shù)。

該技術(shù)的耐高溫運(yùn)作、輻射硬化和資料保存期限已經(jīng)過(guò)車(chē)用市場(chǎng)的檢驗(yàn)，能夠滿(mǎn)足工業(yè)應(yīng)用對(duì)可靠性的嚴(yán)格需求。

STM32微控制器為開(kāi)發(fā)者和客戶(hù)帶來(lái)之益處

具有成本競(jìng)爭(zhēng)力的技術(shù)將為開(kāi)發(fā)人員提供新型的高性能、低功耗、無(wú)線MCU。大儲(chǔ)存容量支援市場(chǎng)對(duì)邊緣人工智慧處理、多射頻協(xié)定堆疊、無(wú)線更新和進(jìn)階安全功能的日益成長(zhǎng)的需求。高處理效能和大儲(chǔ)存容量將刺激目前正在使用微處理器開(kāi)發(fā)產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)者，轉(zhuǎn)向整合度更高且更具成本效益的微控制器。這項(xiàng)新技術(shù)將進(jìn)一步提升超低功耗裝置的效能，意法半導(dǎo)體的產(chǎn)品組合目前在此一市場(chǎng)處?kù)秲?yōu)勢(shì)地位。

搭載該技術(shù)的首款微控制器將整合ARM最先進(jìn)的ARM Cortex-M內(nèi)核心，為機(jī)器學(xué)習(xí)和數(shù)位訊號(hào)處理應(yīng)用帶來(lái)更強(qiáng)的運(yùn)算能力。該產(chǎn)品將擁有快速、靈活的外部記憶體介面、先進(jìn)的圖形功能，並將整合眾多類(lèi)比和數(shù)位外部周邊，還導(dǎo)入了意法半導(dǎo)體最新MCU之先進(jìn)而且經(jīng)過(guò)認(rèn)證的安全功能。