意法半導體（STMicroelectronics，ST）推出了一項18奈米完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體（Fully Depleted Silicon On Insulator，FD-SOI）技術并整合嵌入式相變記憶體（ePCM）的先進制程，支援下一代嵌入式處理器進化升級。這項新制程技術是意法半導體和三星晶圓代工廠共同研發(fā)，使嵌入式處理應用能夠大幅提升性能和降低功耗，同時還能整合容量更大的記憶體和更多的類比和數位外部周邊。搭載新技術的首款下一代STM32微控制器產品將於2024下半年開始提供部分客戶樣片，并預計於2025年下半年排產。

意法半導體突破20奈米技術節(jié)點，提升新一代微控制器成本競爭力

意法半導體微控制器、數位IC和射頻產品部總裁Remi El-Ouazzane表示，「身為半導體產業(yè)領導之創(chuàng)新企業(yè)，意法半導體率先為客戶提供車用級和航太級FD-SOI和PCM技術。我們的下一步行動將從下一代STM32微控制器開始，讓工業(yè)應用開發(fā)者也能享受到這兩項先進技術帶來的諸多益處。」

技術優(yōu)勢

相較於目前在用之意法半導體40奈米嵌入式非易失性記憶體（eNVM）技術，整合ePCM的18奈米FD-SOI制程可以極大幅提升關鍵的品質因數：

·性能功耗比提升50%以上

·非易失性記憶體（NVM）之密度是現有技術的2.5倍，可以在晶片上整合容量更大的記憶體

·數位電路密度是現有技術的三倍，可以整合人工智慧、圖形加速器等數位外部周邊，以及最先進的安全保護功能

·雜訊系數改善3dB，強化無線MCU的射頻性能

該技術能夠在3V電壓下運行，可為類比功能提供電源，例如電源管理、重置系統、時鐘源和數位／類比轉換器等，是20奈米以下唯一支援此功能的半導體制程技術。

該技術的耐高溫運作、輻射硬化和資料保存期限已經過車用市場的檢驗，能夠滿足工業(yè)應用對可靠性的嚴格需求。

STM32微控制器為開發(fā)者和客戶帶來之益處

具有成本競爭力的技術將為開發(fā)人員提供新型的高性能、低功耗、無線MCU。大儲存容量支援市場對邊緣人工智慧處理、多射頻協定堆疊、無線更新和進階安全功能的日益成長的需求。高處理效能和大儲存容量將刺激目前正在使用微處理器開發(fā)產品的開發(fā)者，轉向整合度更高且更具成本效益的微控制器。這項新技術將進一步提升超低功耗裝置的效能，意法半導體的產品組合目前在此一市場處於優(yōu)勢地位。

搭載該技術的首款微控制器將整合ARM最先進的ARM Cortex-M內核心，為機器學習和數位訊號處理應用帶來更強的運算能力。該產品將擁有快速、靈活的外部記憶體介面、先進的圖形功能，并將整合眾多類比和數位外部周邊，還導入了意法半導體最新MCU之先進而且經過認證的安全功能。