本文探討如何在雪崩運作條件下評估SiC MOSFET的魯棒性。 MOSFET功率轉(zhuǎn)換器，特別是電動汽車驅(qū)動馬達功率轉(zhuǎn)換器，需要能夠耐受以前的運作條件。元件在續(xù)流導通期間出現(xiàn)的失效或閘極驅(qū)動命令訊號錯誤，確實會致使轉(zhuǎn)換器功率開關(guān)二極體在雪崩條件下運作。因此，本文透過模擬雪崩事件，進行非鉗位元感性負載開關(guān)測試，并使用不同的SiC MOSFET元件，依照不同的測試條件，評估技術(shù)的失效能量和魯棒性。

引言

效能和可靠性是所有電子功率轉(zhuǎn)換器必備的主要特性。在與人類社會活動和生態(tài)環(huán)境保護相關(guān)的應用領(lǐng)域，例如，交通、工業(yè)、能源轉(zhuǎn)換等，標準矽基功率開關(guān)已被SiC MOSFET取代，因為 SiC MOSFET在電流密度/晶片面積、擊穿電壓、開關(guān)頻率、工作溫度方面表現(xiàn)更出色，可縮減功率轉(zhuǎn)換器的體積和尺寸，同時提升效能[1]，[2]。
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