元件封裝技術的創新步伐從未如今日這般高速并且有趣。以往的資訊經是由導線傳送，而近年來，各種3D互連技術在封裝中直接將構件相連接。隨著3D互連密度呈指數級別的增長，線寬需要微縮至5μm或者更低(窄)。然而，目前的3D-SIC（3D堆疊IC）的互連技術并不能支持這樣高的密度。如圖1所示，通過并行的晶圓前段制程，并結合晶圓到晶圓（W2W）接合和極度晶圓薄化步驟，以及采用3D-SOC（3D系統晶片）整合技術方案，則可以讓3D互連密度提升。

圖1 : 針對3D-SOC應用的介電層晶圓至晶圓接合的整合方案。圖左至圖右分別為：上下晶圓對準、接合、薄化并進行下一步制程，例如TSV（矽穿孔）的後穿孔蝕刻、穿孔、導線和RDL（線路重布技術）。

在極度晶圓薄化制程的探索和開發過程中，文獻[1]和[2]中針對5μm的最終矽（Si）厚度規格，對不同的薄化技術，如研磨、拋光和蝕刻進行了評估。為了比較這些薄化技術，文獻中還定義了作為成功的薄化制程必須遵循的多項標準。首先，跨晶圓的最終Si厚度（FST）必須在一定的限度之內，這樣才可以保證諸如一個穩定的後穿孔蝕刻制程，并且到達正確的導線層。
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