3D制程正持續發展，作為堆疊晶片之間的一種電子互連技術，矽通孔（TSV）能為訊號提供比傳統焊線更短的傳輸路徑。此外，TSV還能實現更多的輸入/輸出（I/O）。 TSV的直徑和縱橫比可以實現更高的密度，因此這項技術能用比打線接合更低的功耗來實現性能提升。

對3D矽通孔來說，金屬沉積制程有什么作用和重要性？ aveni執行長Bruno Morel表示，金屬沉積是成功的TSV性能的關鍵制程之一。如同平面元件，金屬沉積是晶片層內部的「接線」。在晶片堆疊中，金屬沉積對形成晶片之間的互連來說非常關鍵。元件速度和訊號完整性與金屬沉積的品質直接相關。
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