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    揭密TGV制程中的隱形殺手:EBSD如何破解應(yīng)力難題
    [作者 李昀達(dá)]   2025年08月14日 星期四 瀏覽人次: [303]

    在材料分析領(lǐng)域里,電子顯微鏡不只會(huì)「拍照」,還能「看懂」每一顆晶體怎麼排列、怎麼轉(zhuǎn)向,這個(gè)技術(shù)叫做EBSD(電子背向散射繞射)。而在TGV制程中,晶粒排列與應(yīng)力分布的微小差異,往往決定了產(chǎn)品的可靠度。這些關(guān)鍵資訊,正是EBSD技術(shù)的專長(zhǎng)。


    在高階封裝技術(shù)迅速發(fā)展的今日,TGV(玻璃通孔)技術(shù)正逐漸成為重要的晶片互連解決方案。根據(jù)報(bào)導(dǎo),經(jīng)濟(jì)部產(chǎn)業(yè)技術(shù)司支持工研院開(kāi)發(fā)的全濕式面板級(jí)封裝設(shè)備,成功將12寸玻璃基板的通孔深寬比由AR 10提升至AR 15,大幅突破了玻璃通孔制程限制并有效降低制造成本。


    在此產(chǎn)業(yè)背景下,透過(guò)電子背向散射繞射(EBSD)技術(shù)觀察晶體結(jié)構(gòu),變得尤為重要。藉由EBSD(電子背向散射繞射),我們可以深入分析晶粒取向、晶界特性與殘留應(yīng)力等微觀結(jié)構(gòu)特徵,進(jìn)而改善制程品質(zhì)與提升產(chǎn)品的可靠度。
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