Littelfuse公司今日宣部推出高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器IXD2012NTR，設(shè)計(jì)用於驅(qū)動(dòng)兩個(gè)采用半橋配置的N溝道MOSFET或IGBT。該IXD2012NTR針對(duì)高頻電源應(yīng)用進(jìn)行了最隹化，具有卓越的開(kāi)關(guān)性能和更高的設(shè)計(jì)靈活性。
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| IXD2012NTR 柵極驅(qū)動(dòng)器提供 1.9 A拉電流和 2.3 A灌電流輸出，以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健的柵極驅(qū)動(dòng)性能并提高開(kāi)關(guān)效率 |
IXD2012NTR可在10V~20V的寬電壓范圍內(nèi)運(yùn)作，在自舉操作中支援高達(dá)200V的高壓側(cè)開(kāi)關(guān)，其邏輯輸入與低至3.3 V的標(biāo)準(zhǔn)TTL和CMOS電平相容，確保與各種控制設(shè)備無(wú)縫整合。IXD2012NTR具有1.9A拉電流和2.3A灌電流輸出能力，提供強(qiáng)勁的閘極驅(qū)動(dòng)電流，是高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用的理想選擇。
此元件整合的交叉?zhèn)鲗?dǎo)保護(hù)邏輯可防止高壓側(cè)和低壓側(cè)輸出同時(shí)開(kāi)啟，同時(shí)透過(guò)高整合簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)。IXD2012NTR采用緊湊型SOIC(N)-8封裝，工作溫度范圍在-40℃~+125℃，即使在惡劣工況條件下也能提供可靠的性能。
