ROHM新推出「RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列」共13款Nch MOSFET產(chǎn)品（40V/60V/80V/100V/150V），該系列產(chǎn)品非常適合驅(qū)動(dòng)以24V、36V、48V等級(jí)電源供電的應(yīng)用，例如基地臺(tái)和伺服器電源、工控和消費(fèi)性電子設(shè)備用的馬達(dá)等。
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| ROHM推出業(yè)界頂級(jí)超低導(dǎo)通電阻Nch MOSFET，有助提高應(yīng)用設(shè)備效率，新推出40V～150V耐壓共13款產(chǎn)品，非常適用於工控設(shè)備電源和各類型馬達(dá)驅(qū)動(dòng) |
近年來，全球電力需求量持續(xù)增加，如何有效利用電力已成為迫在眉睫的課題，從而要求不斷提高各種馬達(dá)和基地臺(tái)、伺服器等工控設(shè)備的效率。在上述應(yīng)用中，中等耐壓的MOSFET被廣泛應(yīng)用於各種電路中，制造商也因此要求能進(jìn)一步降低功耗。
另一方面，導(dǎo)通電阻和Qgd是引起MOSFET功率損耗的兩項(xiàng)主要叁數(shù)，但對(duì)於普通的MOSFET而言，由於導(dǎo)通電阻與晶片尺寸成反比，Qgd會(huì)成比例增加，因此很難同時(shí)兼顧這兩項(xiàng)叁數(shù)。針對(duì)這個(gè)課題，ROHM透過微細(xì)化制程、采用銅夾連接、重新檢視閘極結(jié)構(gòu)等措施，改善了兩者之間難以取舍的關(guān)系。
新產(chǎn)品不僅利用微細(xì)化制程提高了元件性能，還透過采用低阻值銅夾連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實(shí)現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻（Ron），與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，導(dǎo)通電阻降低了50%。
另外，透過重新檢視閘極結(jié)構(gòu)，Qgd（閘極-汲極間電荷量，通常與導(dǎo)通電阻之間存在難以取舍的關(guān)系）也比傳統(tǒng)產(chǎn)品減少了約40%（Ron和Qgd均為耐壓60V的HSOP8封裝產(chǎn)品之間的比較）。
因此可以降低開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，非常有助各種應(yīng)用產(chǎn)品的高效率工作。例如，在工控設(shè)備用電源評(píng)估板上比較電源效率時(shí)，新產(chǎn)品在穩(wěn)定工作時(shí)的輸出電流范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超高的電源效率（峰值時(shí)高達(dá)約95%）。
