英飛凌分離式IGBT推出TRENCHSTOP先進絕緣封裝版本
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【德國慕尼黑訊】英飛凌科技(Infineon)推出最新的TRENCHSTOP先進絕緣封裝技術，包括 TRENCHSTOP 和 TRENCHSTOP Highspeed 3 IGBT 兩種版本，擁有同級最佳的散熱效能以及更簡易的制程。這兩種版本經過效能最佳化，可取代完全絕緣封裝(FullPAK)以及標準型和高效能型絕緣片，適用于空調、不斷電系統(UPS) 的功率因數校正(PFC)，以及馬達驅動的電源轉換器等應用。
由于不需絕緣材料與散熱膏，設計人員可省下多達 35% 的組裝時間。此外，也可免去絕緣片無法對齊的問題，因此可靠度更高。新封裝的熱阻(Rth) 比TO-247 FullPak 減少50%，比使用絕緣片的標準型TO-247 封裝減少35%，使新封裝的效能更為優異，舉例來說，其運作溫度較采FullPak 封裝的IGBT 降低了10°C。相較于使用絕緣箔的標準型 TO-247，采用先進絕緣封裝可提升系統效率達 0.2 %。
由于不需絕緣材料與散熱膏，設計人員可省下多達 35% 的組裝時間。此外，也可免去絕緣片無法對齊的問題，因此可靠度更高。新封裝的熱阻(Rth) 比TO-247 FullPak 減少50%，比使用絕緣片的標準型TO-247 封裝減少35%，使新封裝的效能更為優異，舉例來說，其運作溫度較采FullPak 封裝的IGBT 降低了10°C。相較于使用絕緣箔的標準型 TO-247，采用先進絕緣封裝可提升系統效率達 0.2 %。
新封裝的耦合電容值僅 38 pF， EMI 效能更佳優異，濾波器尺寸也可縮小。更佳的散熱特性讓IGBT 能以更低的溫度運作，進而減少對元件造成的應力，因此可靠度也獲得提升。此外，溫度降低，也有助于縮小散熱器尺寸，有助于節省系統成本。冷卻需求降低后，設計人員便能選擇利用多出的空間來提升功率密度。
TRENCHSTOP 先進絕緣封裝產品將于 2017 年第三季推出，樣品將于 2017 年 7 月開始供貨。將率先推出40 A 至 90 A，600 V IGBT的產品組合。 TRENCHSTOP 先進絕緣封裝產品將在 2017 年的 PCIM 展中展出。
參展資訊
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地點: 德國紐倫堡
地點: 德國紐倫堡
展示內容: 展出各項提升工業、消費性與汽車應用系統效率的頂尖技術。以及相關智慧能源領域的創新成果
展示內容: 展出各項提升工業、消費性與汽車應用系統效率的頂尖技術。以及相關智慧能源領域的創新成果
