由工研院主辦、邁入第42年的半導(dǎo)體盛會(huì)「2025國(guó)際超大型積體電路技術(shù)、系統(tǒng)暨應(yīng)用研討會(huì)」（VLSI TSA），今年聚焦AI帶動(dòng)的半導(dǎo)體科技革新，共有逾千位半導(dǎo)體專業(yè)人士參與。與會(huì)者指出，臺(tái)灣具備強(qiáng)大的先進(jìn)封裝與晶片製造實(shí)力，應(yīng)在異質(zhì)整合、先進(jìn)電晶體與系統(tǒng)整合等領(lǐng)域持續(xù)布局，持續(xù)強(qiáng)化晶片製造與系統(tǒng)整合。並深化國(guó)際合作，進(jìn)而鞏固臺(tái)灣在AI與高效運(yùn)算應(yīng)用領(lǐng)域全球關(guān)鍵地位。

2025 VLSI TSA國(guó)際研討會(huì)匯集國(guó)內(nèi)外產(chǎn)官學(xué)研累計(jì)超過(guò)千人與會(huì)，聚焦AI帶動(dòng)的半導(dǎo)體科技革新。

VLSI TSA大會(huì)主席、工研院電子與光電系統(tǒng)研究所所長(zhǎng)張世杰表示，今年VLSI國(guó)際盛會(huì)齊聚全球半導(dǎo)體與AI頂尖專家，聚焦於先進(jìn)邏輯電晶體架構(gòu)、背面供電網(wǎng)路、異質(zhì)整合、晶粒互連與共封裝技術(shù)，皆是推進(jìn)AI晶片效能與能源效率的核心突破方向，展現(xiàn)未來(lái)半導(dǎo)體科技的前瞻趨勢(shì)與研發(fā)競(jìng)爭(zhēng)力。

三星電子邏輯技術(shù)開發(fā)部副總裁Keun Hwi Cho指出，隨著CMOS製程逐步逼近物理極限，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正面臨功耗密度升高、量子效應(yīng)浮現(xiàn)與製程日益複雜等挑戰(zhàn)，傳統(tǒng)微縮策略已難以為繼。而「晶背供電網(wǎng)路（Backside Power Delivery Network）」、「新型電晶體架構(gòu)」與「異質(zhì)整合」等關(guān)鍵技術(shù)，作為進(jìn)入埃米時(shí)代（Angstrom Era）持續(xù)推進(jìn)CMOS微縮的可行路徑，並預(yù)示晶片設(shè)計(jì)與製造思維將邁入全新階段。

美國(guó)邁威爾科技資深副總裁 Ken Chang認(rèn)為，在AI時(shí)代，隨著單一晶片面積接近極限，異質(zhì)整合與小晶粒（Chiplets）架構(gòu)成為推升運(yùn)算效能的關(guān)鍵策略。面對(duì)AI對(duì)能源效率、傳輸頻寬與封裝空間的高度需求，晶片互聯(lián)技術(shù)正迎來(lái)突破轉(zhuǎn)捩點(diǎn)。高速互聯(lián)與共封裝（Co-packaged）互聯(lián)的設(shè)計(jì)選項(xiàng)與關(guān)鍵考量，將透過(guò)SerDes等技術(shù)提升晶片間資料傳輸效率與頻寬，為AI伺服器、5G通訊與資料中心等高需求領(lǐng)域帶來(lái)系統(tǒng)效能全面躍升。

且在技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展之際，AI快速落地應(yīng)用也帶出人才短缺的挑戰(zhàn)，因此，未來(lái)產(chǎn)業(yè)應(yīng)透過(guò)跨領(lǐng)域整合、深化產(chǎn)學(xué)合作與提升研發(fā)資源投入，建立完整的AI與半導(dǎo)體人才培育生態(tài)系，為臺(tái)灣在全球科技競(jìng)爭(zhēng)中奠定實(shí)力。

VLSI TSA也特別在今年開幕典禮時(shí)頒發(fā)ERSO Award，表彰對(duì)臺(tái)灣半導(dǎo)體、電子、資通訊、光電、顯示等產(chǎn)業(yè)有傑出貢獻(xiàn)的產(chǎn)業(yè)人士，分別由乾坤科技董事長(zhǎng)劉春條、志聖工業(yè)董事長(zhǎng)梁茂生、臺(tái)灣鈣鈦礦科技董事長(zhǎng)陳來(lái)助。以及「胡正明半導(dǎo)體創(chuàng)新獎(jiǎng)」，則由臺(tái)積電研究發(fā)展組織副處長(zhǎng)張志偉與臺(tái)灣大學(xué)元件材料與異質(zhì)整合學(xué)位學(xué)程教授李敏鴻獲獎(jiǎng)。