近年SiC由于節能效果卓越，廣為汽車或工具機等所采用，并可望有更大功率的產品陣容。而為了百分百活用SiC產品所具有的獨特高速開關性能，在類似功率模組產品等額定電流大的產品方面，尤其需要研發新封裝以抑制開關時突波電壓﹙surge voltage﹚的影響。

半導體制造商ROHM于2012年3月率先開始量產由全碳化矽構成內建型功率半導體元件的全SiC功率模組。之后陸續推出高達1200V、300A額定電流的產品，廣為各種不同領域所采用。本次使用新研究封裝在IGBT模組市場中成功擴增涵蓋100A到600A等主要額定電流范圍的全SiC模組陣容，可望進一步擴大需求。
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