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    智動(dòng)化 / 產(chǎn)品 /

    愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試研發(fā)出用於記憶測(cè)試系統(tǒng)STT-MRAM的切換電流測(cè)量系統(tǒng)
    Dressing udstyr   2018年11月21日 星期三 瀏覽人次: [5655]

    半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備供應(yīng)商愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試宣布其與日本東北大學(xué)創(chuàng)新整合電子系統(tǒng)中心〈CIES〉的合作,本計(jì)畫(huà)由東北大學(xué)電機(jī)研究所教授遠(yuǎn)藤哲夫主持,成功地研發(fā)出高速、高精確度模組,可以測(cè)量磁性隨機(jī)存取記憶體〈STT-MRAM〉中記憶束的切換電流,這是眾所期待用於愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試記憶測(cè)試系統(tǒng)的次世代記憶技術(shù),運(yùn)作速度為微安培/奈米秒。

    愛(ài)德萬(wàn)記憶測(cè)試系統(tǒng)T5385ES
    愛(ài)德萬(wàn)記憶測(cè)試系統(tǒng)T5385ES

    由於這項(xiàng)科技的創(chuàng)新,使得觀察STT-MRAM記憶單元每分鐘通過(guò)電流變化成為可能,此外,由於運(yùn)用新研發(fā)技術(shù)開(kāi)發(fā)成功的此測(cè)試系統(tǒng),也讓STT-MRAM故障分析及STT-MRAM技術(shù)實(shí)務(wù)應(yīng)用又向前跨出了一大步。這項(xiàng)測(cè)試科技除應(yīng)用於STT-MRAM系統(tǒng)外,也可用於其他如ReRAM及PCRAM電阻改變類的記憶系統(tǒng)上。

    STT-MRAM記憶單元由磁隧結(jié)〈MTJs〉及晶體管組成,記憶單元堆疊排列,形成儲(chǔ)存器陣列。一個(gè)MTJ就是一個(gè)非揮發(fā)性記憶元素,運(yùn)用磁阻效應(yīng)記錄資料。除了不需搭配備用電源外,STT-MRAM結(jié)合了所有高速操作、低電壓操作及高重寫(xiě)容差的特色,據(jù)說(shuō)這是其他非揮發(fā)性記憶技術(shù)所難以達(dá)到的境界。全球各研究機(jī)構(gòu)及公司目前都在進(jìn)行STT-MRAM的研發(fā)。

    此項(xiàng)新科技除了能應(yīng)用在研發(fā),另外用於大量生產(chǎn)、高效率及使用記憶測(cè)試系統(tǒng)的績(jī)效評(píng)估正確性都非常重要。然而,目前STT-MRAM的切換是隨機(jī)的現(xiàn)象,利用電子的量子機(jī)械性以及熱誘發(fā)波動(dòng);此外,這些電流非常弱,一般低於100微安培甚至更小,出現(xiàn)的時(shí)間也僅僅數(shù)奈米秒,因?yàn)榧词箿y(cè)量設(shè)備可能量測(cè)在單一隧結(jié)處或單一記憶電池中的磁力切換,但對(duì)於多重記憶單元中的儲(chǔ)存器陣列的測(cè)量仍有困難。

    愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試及東北大學(xué)CIES攜手合作研發(fā)出用於愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試系統(tǒng)的高精密度、高速電流測(cè)試模組,成功的執(zhí)行了實(shí)驗(yàn)測(cè)量電阻內(nèi)每分鐘的變化以及在STT-MRAM切換操作過(guò)程中電流每奈米秒單位間的轉(zhuǎn)變次數(shù)。實(shí)驗(yàn)中,由包含一個(gè)MTJ及一個(gè)晶體管組成的記憶單元STT-MRAM測(cè)試晶片,裝置於一個(gè)工業(yè)用標(biāo)準(zhǔn)尺寸300毫米的矽晶圓上,成為原型,晶圓表面整體都進(jìn)行測(cè)量。這項(xiàng)研究的成功為高效率與高精密度STT-MRAM分析錯(cuò)誤技術(shù)的發(fā)展樹(shù)立了新的里程碑。期??這項(xiàng)成功可以改善生產(chǎn)率,并提升STT-MRAM的實(shí)用性。

    成功的實(shí)驗(yàn)植基於愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試與東北大學(xué)CIES聯(lián)盟及OPERA〈Program on Open Innovation Platform with Enterprises, Research Institute and Academia〉計(jì)畫(huà),共同合作研究的成果。東北大學(xué)CIES會(huì)繼續(xù)此研究開(kāi)發(fā)計(jì)畫(huà),祈能使新的具備外部磁場(chǎng)應(yīng)用機(jī)制的STT-MRAM記憶測(cè)試系統(tǒng)商品化。

    此研究結(jié)果於2018年10月22至24日,在仙臺(tái)市舉行的IEEE非揮發(fā)性記憶技術(shù)研討會(huì)中發(fā)表。

    *OPERA計(jì)畫(huà)是以促進(jìn)業(yè)界與學(xué)界合作為目的的平臺(tái)。會(huì)員包括東北大學(xué)、京都大學(xué)、山形大學(xué),以及一群居於領(lǐng)導(dǎo)地位的業(yè)界公司。東北大學(xué)是本計(jì)畫(huà)的協(xié)調(diào)人。

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