全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics；ST）正式推出第四代STPOWER碳化矽（SiC）MOSFET技術(shù)。這項新技術(shù)不僅滿足車用及工業(yè)市場的需求，還針對電動車（EV）動力系統(tǒng)中的關(guān)鍵元件—牽引變頻器進(jìn)行專門優(yōu)化，在功率效率、功率密度及穩(wěn)定性上樹立全新的標(biāo)竿。意法半導(dǎo)體計劃於2027年前推出更多先進(jìn)的碳化矽技術(shù)。
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| 意法半導(dǎo)體750V及1200V範(fàn)圍之小型且高效的產(chǎn)品將於2025年展現(xiàn)能量，進(jìn)一步將碳化矽技術(shù)從頂級車款拓展至中型和小型電動車。 |
意法半導(dǎo)體類比、功率與離散元件、MEMS和感測器部門總裁Marco Cassis表示，「我們致力透過先進(jìn)碳化矽技術(shù)，推動電動車發(fā)展和提升工業(yè)效能。我們在元件、封裝和功率模組持續(xù)創(chuàng)新，促進(jìn)碳化矽MOSFET技術(shù)進(jìn)步。結(jié)合垂直整合製造策略，我們提供業(yè)界領(lǐng)先的碳化矽技術(shù)性能和可靠供應(yīng)鏈，滿足客戶日益成長的需求，為永續(xù)未來貢獻(xiàn)力量。」
意法半導(dǎo)體持續(xù)創(chuàng)新，充分發(fā)揮碳化矽功率MOSFET碳的高效率和大功率密度優(yōu)勢。最新一代碳化矽元件旨在提升未來電動車牽引變頻器平臺的小型化和節(jié)能潛力。儘管電動車市場持續(xù)成長，普及化仍面臨挑戰(zhàn)，車廠正努力推出更經(jīng)濟實惠的電動車。採用800V碳化矽系統(tǒng)的電動車已經(jīng)具備更快充的電速度和更輕的車身重量，使製造商能夠生產(chǎn)續(xù)航里程更長的高階車款。
意法半導(dǎo)體最新的750V和1200V碳化矽MOSFET元件將同時提升400V和800V電動車系統(tǒng)牽引變頻器的效率和性能，將碳化矽優(yōu)勢擴展至中小型電動車，這是達(dá)到大規(guī)模市場普及的關(guān)鍵。第四代碳化矽技術(shù)還適用於多種高功率工業(yè)應(yīng)用，如太陽能逆變器、儲能解決方案和數(shù)據(jù)中心，能夠顯著提升上述應(yīng)用的效能。意法半導(dǎo)體已完成第四代750V等級產(chǎn)品的認(rèn)證，並預(yù)計在2025年第一季完成1200V等級的認(rèn)證。隨後將推出額定電壓為750V和1200V的商用元件，協(xié)助設(shè)計者因應(yīng)從標(biāo)準(zhǔn)交流電壓到高壓電動車電池及充電器的多種應(yīng)用需求。
研發(fā)藍(lán)圖
為了透過垂直整合的製造策略加速碳化矽功率元件的研發(fā)，意法半導(dǎo)體正在同步推動多項碳化矽技術(shù)創(chuàng)新，力求在未來三年內(nèi)促進(jìn)功率元件技術(shù)的進(jìn)步。第五代意法半導(dǎo)體碳化矽功率元件將採用以平面結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)的創(chuàng)新型高功率密度技術(shù)。意法半導(dǎo)體同時也正在開發(fā)一項顛覆性的創(chuàng)新技術(shù)，承諾在高溫環(huán)境下提供更出色的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）表現(xiàn)，進(jìn)一步降低導(dǎo)通損耗，顯著超越現(xiàn)有碳化矽技術(shù)。
