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    CGD與Qorvo合作開發馬達控制應用的GaN叁考設計及評估套件
    Dressing udstyr   2024年06月07日 星期五 瀏覽人次: [2331]

    無晶圓廠潔凈技術半導體Cambridge GaN Devices(CGD)致力於開發氮化??(GaN)器件,近日與全球連接和電源解決方案供應商Qorvo合作開發 GaN 在馬達控制應用中的叁考設計和評估套件(EVK)。 CGD 旨在加快 GaN 功率 IC 在無刷直流馬達(BLDC)和永磁同步馬達(PMSM)應用,提供易用性和可靠性,打造更高功率、高效、緊湊和可靠的系統。Qorvo 在為其 PAC5556A 高性能 BLDC/PMSM 馬達控制器和驅動器設計的 EVK 中采用 CGD 的 ICeGaN(IC 增?型 GaN)科技。

    在評估套件結合Qorvo 的高性能無刷直流/永磁同步馬達控制器/驅動器,以及 CGD 易於使用的 ICeGaN GaN功率IC的效能。
    在評估套件結合Qorvo 的高性能無刷直流/永磁同步馬達控制器/驅動器,以及 CGD 易於使用的 ICeGaN GaN功率IC的效能。

    GaN 帶來損耗更低,帶來更高效率,進而新增功率可用性和產生更少的熱量等益處。 這減少了對復雜、龐大和昂貴的熱管理解決方案的需求,從而產生更小、更?大、壽命更長的系統。 GaN 還可以在低速時提供更高的扭矩,因此可以實現更精確的控制。 此外,GaN可實現高速開關,這可以減少可聽雜訊,這對於吊扇、熱泵和冰柜等家電尤其重要。

    此外,ICeGaN提供幾個顯著的優點 ICeGaN 的閘極驅動電壓與 IGBT 相容。 由於 ICeGaN 在 GaN IC 內整合米勒箝比特,所以不需要負關斷電壓,并且可以使用低成本的電流驅動器。而ICeGaN 內嵌電流感測功能簡化電路設計,并?少了物料清單(BOM)。叁考設計現已上市,EVK RD5556GaN 將在今年第3季上市。

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