為滿足快速讀寫、低耗電、斷電後不會(huì)遺失資料的前瞻記憶體儲(chǔ)存技術(shù)需求，全球各半導(dǎo)體大廠都積極投入研究人力，布局相關(guān)技術(shù)開發(fā)。國研院半導(dǎo)體中心今（20）日也宣布與臺(tái)積電合作開發(fā)的「選擇器元件與自旋轉(zhuǎn)移力矩式磁性記憶體整合」（Selector and STT-MRAM Integration），於2023年12月電子元件會(huì)議IEDM（International Electron Devices Meeting）中發(fā)表，并獲選為Highlight Paper，成為全世界極少數(shù)成功開發(fā)出高密度、高容量的獨(dú)立式STT-MRAM制作技術(shù)團(tuán)隊(duì)。

國研院半導(dǎo)體中心今（20）日也宣布與臺(tái)積電合作開發(fā)「選擇器元件與自旋轉(zhuǎn)移力矩式磁性記憶體整合」，已成為全世界極少數(shù)成功開發(fā)出高密度、高容量的獨(dú)立式STT-MRAM制作技術(shù)團(tuán)隊(duì)。

由於STT-MRAM具備高速度、高可靠度、小體積、省電等優(yōu)點(diǎn)，十分適合應(yīng)用於云端運(yùn)算與物聯(lián)網(wǎng)上進(jìn)行大量的資料儲(chǔ)存，同時(shí)可提升人工智慧運(yùn)算的學(xué)習(xí)效率與準(zhǔn)確性，為國際半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研重點(diǎn)發(fā)展領(lǐng)域。

國研院半導(dǎo)體中心則長期透過主導(dǎo)或協(xié)助發(fā)表國際重點(diǎn)領(lǐng)域的指標(biāo)性會(huì)議論文，與國際發(fā)展趨勢接軌；并將論文發(fā)表的關(guān)鍵半導(dǎo)體技術(shù)轉(zhuǎn)化，以協(xié)助臺(tái)灣產(chǎn)學(xué)研界建構(gòu)碩博士級(jí)尖端研發(fā)服務(wù)與人才培育的服務(wù)平臺(tái)，投入次世代記憶體晶片或新一代人工智慧晶片等應(yīng)用驗(yàn)證。

國研院半導(dǎo)體中心主任侯拓宏表示，臺(tái)灣作為全球半導(dǎo)體晶片制造中心，須及早儲(chǔ)備豐沛的下世代技術(shù)開發(fā)人才庫，成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈維持競爭力與價(jià)值再升級(jí)的關(guān)鍵。半導(dǎo)體中心更是相關(guān)領(lǐng)域的高階碩博士研究人力培育搖籃。

透過長年建立的產(chǎn)學(xué)合作機(jī)制及訓(xùn)練服務(wù)經(jīng)驗(yàn)，接軌業(yè)界實(shí)務(wù)研發(fā)需求，建立小型多樣化的類晶圓制作到電路的產(chǎn)品雛形驗(yàn)證平臺(tái)，并藉此訓(xùn)練培育實(shí)作高階研究人力。每年估計(jì)可提供50馀所大學(xué)院校、超過500個(gè)教授研究團(tuán)隊(duì)的2,000位碩博士常駐研究與訓(xùn)練，讓臺(tái)灣養(yǎng)成的高階人才能更進(jìn)一步貼近產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求。

臺(tái)積電作為全世界的積體電路制造龍頭，亦持續(xù)投入產(chǎn)學(xué)合作，深耕臺(tái)灣半導(dǎo)體人才培育。本次與國研院半導(dǎo)體中心合作發(fā)表國際指標(biāo)性論文，除證明臺(tái)灣研究於相關(guān)領(lǐng)域已躋身國際領(lǐng)先團(tuán)隊(duì)外，也期??透過半導(dǎo)體中心培育人才的機(jī)制，協(xié)助臺(tái)灣高階半導(dǎo)體人才與未來主流技術(shù)接軌，深化半導(dǎo)體科技的研發(fā)量能。