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自我保護(hù)型 MOSFET提供高可靠性
在汽車應(yīng)用的嚴(yán)苛環(huán)境
[作者 Ian Moulding]   2017年09月18日 星期一 瀏覽人次: [15814]


汽車電子環(huán)境非常嚴(yán)苛!如圖一所示,由於負(fù)載瞬態(tài)和感應(yīng)場衰變,汽車的額定電池電壓可在 -12V DC (在反向電池狀態(tài)) 下變化為 125V DC。加上作業(yè)溫度、各種互連及開放環(huán)境等多種變化,容易受到來自與人類互動而可能產(chǎn)生的 ESD 損害,而且作業(yè)環(huán)境所面對的挑戰(zhàn)性遠(yuǎn)比消費(fèi)性市場來得更高。



圖一 :  汽車電池電壓產(chǎn)生變化的原因
圖一 : 汽車電池電壓產(chǎn)生變化的原因

汽車業(yè)需要具有成本效益與完全可靠的解決方案,但這種潛在的破壞性環(huán)境,對現(xiàn)代汽車常見的大量控制功能所需的功率半導(dǎo)體裝置帶來巨大的挑戰(zhàn)。


標(biāo)準(zhǔn) MOSFET 等功率半導(dǎo)體已被證實其堅固程度不符合許多的汽車應(yīng)用所需。感應(yīng)突波與負(fù)載突降需要更大 MOSFET 或外部箝位來吸收能量的瞬態(tài),否則將會破壞 MOSFET。這兩種選項都會增加成本與獨(dú)立設(shè)計的複雜性。


自我保護(hù)型 MOSFET可透過結(jié)合箝位與其他保護(hù)功能的單片電路拓?fù)湟越鉀Q此問題,為驅(qū)動繼電器、LED 及其他電感負(fù)載提供更可靠且更低成本、更小尺寸的解決方案。


繼電驅(qū)動

Diodes 公司的 DMN61D8LQ 是採用 SOT23 封裝的箝位拓?fù)渥晕冶Wo(hù)型 MOSFET,並已進(jìn)行最佳化以符合驅(qū)動汽車?yán)^電器的成本與效能需求。它在輸入部分具備 ESD 保護(hù)功能,並且在輸出部分具備主動汲極箝位功能。後者由於其電感特性,在切換繼電器時特別有用,因為在停用繼電器時會產(chǎn)生較大的瞬態(tài),而這些瞬態(tài)有可能破壞未受保護(hù)的 MOSFET。


圖二所示的背對背齊納堆疊位於 MOSFET 的閘極與汲極連線之間,是此低側(cè)、主動箝位組態(tài)的主要元件。箝位電壓由齊納堆疊電壓設(shè)定,其設(shè)計為小於 MOSFET 汲極至源極接面的突崩崩潰電壓,同時也夠高而不會在正常運(yùn)作中被觸發(fā)。



圖二 :  低側(cè)主動過電壓箝位的等效電路
圖二 : 低側(cè)主動過電壓箝位的等效電路

這意味著當(dāng) MOSFET 關(guān)閉時,即裝置的輸入已接地,汲極腳位的電壓將上升至高於齊納堆疊電壓,電流將經(jīng)由齊納與輸入電阻器而流至接地。然後,隨著 MOSFET 閘極產(chǎn)生的最終電壓接近閾值,MOSFET 將開始導(dǎo)通並耗用負(fù)載電流。


如此可確保由停用繼電器產(chǎn)生的電感能量,可由在正常作用區(qū)中運(yùn)作的功率 MOSFET 吸收,而非以反向突崩模式在本機(jī)耗散更多能量。同時,由於箝位電壓低於突崩電壓,MOSFET 在箝位模式下消耗的功率小於突崩模式,因此可提供更高的能量處理能力。


燈具驅(qū)動

為了進(jìn)一步因應(yīng)瞬態(tài),自我保護(hù)型 MOSFET (以 Diodes 公司的 ZXMS6004FFQ為例) 採用完整保護(hù)的拓?fù)洌ㄟ^熱保護(hù)及過電流保護(hù)電路。如圖三的方塊圖所示,其中已加入過電壓與 ESD 輸入保護(hù)。此裝置採用小尺寸 SOT23 封裝,比同類 SOT223 封裝的零件小 6 倍。



圖三 :  Diodes ZXMS6004FFQ MOSFET 的自我保護(hù)功能
圖三 : Diodes ZXMS6004FFQ MOSFET 的自我保護(hù)功能

這款自我保護(hù)型 MOSFET 利用溫度感測器與熱關(guān)機(jī)電路提供保護(hù),以避免過熱。此電路在 MOSFET 開啟時為主動,並且會在超過臨界溫度 (通常為攝氏175度) 時觸發(fā)。此時會關(guān)閉 MOSFET,中斷電流以限制進(jìn)一步散熱。內(nèi)建遲滯可讓輸出在裝置冷卻約攝氏10度後自動恢復(fù)。


白熾燈關(guān)閉時電阻較低,當(dāng)開燈後電阻會快速增加,溫度也會上升。透過限流電路提供的過電流保護(hù)不僅可提供保護(hù)以避免故障,並可避免與燈具低導(dǎo)通電阻相關(guān)的高湧浪電流。限流電路可偵測因過載電流而產(chǎn)生的 MOSFET 汲源電壓 (VDS) 大幅增加,並藉由降低內(nèi)部閘極驅(qū)動及限制汲極電流 (ID) 進(jìn)行因應(yīng)。此功能可保護(hù) MOSFET 並延長燈具壽命,其特性如圖四所示。



圖四 :  典型的輸出特性顯示限流功能
圖四 : 典型的輸出特性顯示限流功能

雖然上述保護(hù)電路皆獨(dú)立實作,但它們亦可結(jié)合並正常運(yùn)作。例如,透過電流調(diào)節(jié)可以運(yùn)作一段時間,但可能無法阻止溫度最終達(dá)到進(jìn)入過熱循環(huán)的閾值。藉由其內(nèi)建保護(hù)功能,自我保護(hù)型 MOSFET 可為各種汽車應(yīng)用的開關(guān)負(fù)載提供具有成本效益的解決方案。


(作者Ian Moulding為Diodes公司汽車行銷經(jīng)理)


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