目前在提升再生能源裝置容量和能源效率，皆有高度關聯性的關鍵技術，莫過於利用化合物半導體來制造高效能功率半導體元件，以承受高電壓、高溫沖擊。臺灣廠商還具備過去多年來於矽基半導體產業累積的基礎，且有如工研院等法人單位輔導，正積極投入建立材料開發、雷射輔助加工制程等測試驗證平臺和服務，將加速產業聚落成型。

尤其是伴隨著交通運具電動化與提升能源效率等需求，包括：碳化矽（SiC）、氮化??（GaN）、InP、Ga2O3、AIN等化合物半導體，因為比起傳統矽基材料（Si-based）具備更寬裕的能隙特性，用來制造高效能功率半導體晶片元件，將可有效減省約50%電能轉換損耗、20%電源轉換系統成本，所以極適合提供高功率（>400V）、高電能轉換效率應用，滿足耐高壓（>800V）、高溫及高頻需求。

工研院在2023年舉行的「南臺灣策略論壇」也指出，如今化合物半導體已逐漸導入電動車及充電樁、再生能源發電與傳輸，甚至是低軌衛星、5G/6G高頻通訊、人工智慧（AI）基礎裝置、工業設備等低碳生活模式，減省充電時間和電池成本，而極富有戰略意義。依工研院南分院預估其中SiC晶圓市場快速成長（CAGR~15%），2028年全球規模將達到17億美元。
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