ROHM近日研發(fā)出采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，并已建立完備的量產(chǎn)體制。與量產(chǎn)中的平面型SiC-MOSFET相比，同一晶片尺寸的導(dǎo)通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽(yáng)能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設(shè)備用電源、工業(yè)用變流器等所有相關(guān)設(shè)備的功率損耗。此次研發(fā)的SiC-MOSFET計(jì)畫(huà)將推出功率模組及離散式封裝產(chǎn)品，目前已建立完備的功率模組產(chǎn)品的量產(chǎn)體制。
產(chǎn)品背景
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