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    意法半導體ST-ONEMP數(shù)位控制器 簡化高效能雙埠USB-PD轉接器設計
    Dressing udstyr   2023年02月10日 星期五 瀏覽人次: [5022]

    意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)的高整合度、高效能ST-ONE系列USB供電(USB-PD)數(shù)位控制器新增一個支援雙埠的ST-ONEMP晶片。

    意法半導體ST-ONEMP數(shù)位控制器簡化高效能雙介面USB-PD轉接器設計
    意法半導體ST-ONEMP數(shù)位控制器簡化高效能雙介面USB-PD轉接器設計

    ST-ONEMP數(shù)位控制器采用市面第一個ST-ONE架構,在一個封裝內(nèi)整合ArmR CortexR-M0+微控制器、高效能非互補有源鉗位返馳式控制器和USB-PD 3.1介面。ST-ONE架構的初級側和次級側電路之間電流隔離,極大幅度簡化USB-PD電源轉接器的設計和組裝。

    現(xiàn)在,透過增加電能共用支援功能,最新的ST-ONEMP簡化了在USB-PD輸出外再增加第二個輸出的充電頭之設計,提升終端使用者的充電靈活性和便利性。

    在ST-ONEMP內(nèi)部,Cortex-M0+ MCU微控制器位於充電器次級側,晶片上64KB快閃記憶體用於保存客制的USB-PD協(xié)定和電源轉換韌體。微控制器預裝USB-PD 3.1 PPS認證韌體,讓開發(fā)者為標準應用提供一站式方案。MCU控制同步整流器和返馳式轉換器,并針對零電壓開關非互補有源鉗位拓撲優(yōu)化了微控制器,因為在高功率時,零電壓開關非互補有源鉗位效能優(yōu)於傳統(tǒng)準諧振返馳式變換拓撲。

    ST-ONEMP與意法半導體的MasterGaN功率技術搭配使用。MasterGaN技術包含意法半導體的整合閘極驅動器的氮化??(GaN)寬能隙功率電晶體。意法半導體GaN技術的開關頻率相較傳統(tǒng)矽MOSFET更高,使轉接器能夠提供更高的功率密度和符合最新生態(tài)設計規(guī)范的高效能表現(xiàn)。

    意法半導體以ST-ONEMP和MASTERGAN4開發(fā)EVLONEMP 65W + 10W AC/DC轉接器叁考設計,轉接器的重量和體積與20W單埠智慧手機充電器旗鼓相當。峰值效能為94%,相較同類傳統(tǒng)雙埠轉接器高2%,而 PCB面積僅為傳統(tǒng)轉接器的四分之一。因此,原始設備制造商可以縮減外殼大小、節(jié)省能源,還能減少塑膠使用量,以提供更環(huán)保的產(chǎn)品。

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