面對現(xiàn)今人工智慧（AI）、5G構(gòu)成的AIoT時代來臨，包括自駕車、精準(zhǔn)醫(yī)療診斷、衛(wèi)星影像辨識等應(yīng)用須快速處理大量資料，要求更快、更穩(wěn)、功耗更低的新世代記憶體成為各家大廠研發(fā)重點。工研院今（17）日也發(fā)表與臺積電合作，攜手開發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性記憶體（Spin Orbit Torque MRAM；SOT-MRAM）領(lǐng)先國際。

工研院與臺積電合作開發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性記憶體SOT-MRAM，適用於記憶體內(nèi)運算，且功耗僅為STT-MRAM的1%成果領(lǐng)先國際。

其中透過工研院建立深厚的前瞻記憶體研發(fā)能量，與晶圓制造龍頭臺積電雙方攜手開發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性記憶體（SOT-MRAM），即由陣列晶片搭配創(chuàng)新的運算架構(gòu)，適用於記憶體內(nèi)運算，且功耗僅為STT-MRAM的1%成果領(lǐng)先國際。

工研院電子與光電系統(tǒng)所所長張世杰指出，工研院和臺積電繼2023年在全球半導(dǎo)體領(lǐng)域頂尖之「超大型積體技術(shù)及電路國際會議」（Symposium on VLSI Technology and Circuits）共同發(fā)表論文之後，今年更合作開發(fā)出兼具低功耗、10奈秒（nanoseconds；ns）高速工作等優(yōu)點的SOT-MRAM單元，展現(xiàn)次世代記憶體技術(shù)的研發(fā)能量，維持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)地位。

同時結(jié)合了電路設(shè)計完成記憶體內(nèi)運算技術(shù)，進一步提升運算效能，并跳脫了MRAM已往以記憶體為主的應(yīng)用情境。雙方還將研發(fā)成果在「國際電子元件會議」（International Electron Devices Meeting；IEDM）共同發(fā)表論文，未來可將此技術(shù)應(yīng)用在高效能運算（High Performance Computing；HPC）、AI人工智慧及車用晶片等領(lǐng)域。