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    生成式AI助功率密集的計算應(yīng)用進(jìn)化
    [作者 翁鴻裕]   2024年06月13日 星期四 瀏覽人次: [5857]

    訓(xùn)練生成式人工智慧(GenAI)神經(jīng)網(wǎng)路模型通常需要花費數(shù)月的時間,數(shù)千個基於GPU並包含數(shù)十億個電晶體的處理器、高寬頻SDRAM和每秒數(shù)太比特的光網(wǎng)路交換機(jī)要同時連續(xù)運行。雖然人工智慧(AI)有望帶來人類生產(chǎn)力的飛躍,但其運行時能耗巨大,所以導(dǎo)致溫室氣體的排放也顯著增加。


    根據(jù)《紐約時報》報導(dǎo),到2027年,人工智慧伺服器每年的用電量將達(dá)到85至134 兆瓦時(terawatt),大致相當(dāng)於阿根廷一年的用電量。


    為了應(yīng)對日益加劇的能耗挑戰(zhàn),AI處理器的供電網(wǎng)路經(jīng)歷了多代的進(jìn)化。這種全面的演進(jìn)發(fā)展涉及電路架構(gòu)、電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹⒉牧峡茖W(xué)、封裝和機(jī)械/熱工程方面的創(chuàng)新。


    生成式AI訓(xùn)練處理器的供電方案負(fù)載點和分比式模式的進(jìn)化

    從2020年到2022年,熱設(shè)計功率(TDP)幾乎翻了一番,從400W增加到了700W。TDP指標(biāo)是指生成式AI訓(xùn)練應(yīng)用中GPU引擎的連續(xù)功耗。自2022年起,半導(dǎo)體行業(yè)的TDP水準(zhǔn)不斷攀升,到了2024年3月,市場上甚至出現(xiàn)了一款TDP高達(dá)1000W的GPU。



    圖一 : 基於GPU的生成式AI訓(xùn)練處理器晶片複合體,加速器模組(AM)上安裝有高寬頻記憶體(HBM)
    圖一 : 基於GPU的生成式AI訓(xùn)練處理器晶片複合體,加速器模組(AM)上安裝有高寬頻記憶體(HBM)

    用於生成式AI訓(xùn)練的小晶片(chiplet)處理器複合體整合了一個GPU或ASIC晶片,以及六到八個高寬頻記憶體(HBM)晶片。採用4奈米CMOS 製程的GPU通常以0.65V的內(nèi)核VDD運行,可能包含1000億或更多的電晶體。HBM提供144GB的儲存容量,其工作電壓一般為1.1V或1.2V。該處理器的一個關(guān)鍵供電特性與人工神經(jīng)網(wǎng)路演算法負(fù)載有關(guān)。對比處於空閒狀態(tài)的GPU和演算法滿載狀態(tài)的GPU,瞬態(tài)電流消耗(dI/dt)差別可能非常大,可能達(dá)到每微秒2000安培或更多。


    此外,該處理器不能容忍較大的電源電壓下沖或過沖幅值;這些負(fù)載階躍瞬變必須限制在標(biāo)稱VDD的10%以內(nèi)。設(shè)計用於生成式AI訓(xùn)練處理器的供電解決方案時,由於這些動態(tài)操作條件的原因,峰值電流輸送能力通常設(shè)計為連續(xù)電流輸送能力的兩倍,峰值事件通常持續(xù)數(shù)十毫秒(圖一)。


    對於CPU、FPGA、網(wǎng)路交換機(jī)處理器以及現(xiàn)在的AI訓(xùn)練和推理晶片發(fā)展最重要的供電架構(gòu)是負(fù)載點(PoL)方法。相較於傳統(tǒng)的多相並聯(lián)電源架構(gòu),分比式PoL電源架構(gòu)實現(xiàn)了更高的功率和電流密度。這種電源架構(gòu)借鑒了理想變壓器的「匝數(shù)比」概念,通過分壓實現(xiàn)電流倍增。電流倍增的可擴(kuò)展性使我們能夠根據(jù)不同的輸出電壓和電流需求,開發(fā)一系列全面的PoL轉(zhuǎn)換器。這對客戶來說至關(guān)重要,因為高級AI訓(xùn)練處理器的需求正快速變化。



    圖二 : 分比式電源架構(gòu)可以提供超過1000安培的大電流,並使供電網(wǎng)路的阻抗降低20倍
    圖二 : 分比式電源架構(gòu)可以提供超過1000安培的大電流,並使供電網(wǎng)路的阻抗降低20倍

    分比式電源架構(gòu)(FPA)—分解為穩(wěn)壓和變壓功能

    生成式AI電源系統(tǒng)設(shè)計面臨的主要挑戰(zhàn),包括:


    ? 很高的電流輸送能力,範(fàn)圍從500安培到2000安培


    ? 負(fù)載需要出色的動態(tài)響應(yīng)


    ? 巨大的PDN損耗和阻抗


    ? 48V母線基礎(chǔ)架構(gòu)的標(biāo)準(zhǔn)化使用,需要從48V轉(zhuǎn)換到1V以下的能力


    要解決這種大電流和高密度負(fù)載點(PoL)問題,需要採用不同的方法。先進(jìn)的分比式電源架構(gòu)將穩(wěn)壓和變壓/電流倍增功能進(jìn)行了分解,可將這些供電級放置在最佳位置,從而達(dá)到最高的效率和功率/電流密度。


    當(dāng)輸入電壓(VIN)等於輸出電壓(VOUT)時,穩(wěn)壓器的效率最高,隨著輸入輸出比的增加,效率逐漸降低。在36至60V的典型輸入電壓範(fàn)圍內(nèi),最佳輸出母線電壓將是48V,而不是中繼母線架構(gòu)(IBA)中常見的傳統(tǒng)12V母線電壓。48V輸出母線所需的電流是12V母線的四分之一(P=VI),而PDN的損耗是電流的平方(P = I2R),這意味著損耗降低至原來的 1/16。


    因此,先安裝穩(wěn)壓器並將其調(diào)節(jié)至48V輸出,可以實現(xiàn)最高的效率。穩(wěn)壓器還必須接受有時低於48V的輸入電壓,這就需要一個降壓-升壓的功能來滿足這一設(shè)計需求。一旦輸入電壓得到了穩(wěn)壓,下一步便是將48V轉(zhuǎn)換為1V。


    在需要為1V負(fù)載供電的情況下,最佳變壓比為48:1。在這種情況下,穩(wěn)壓器將輸入電壓降壓或升壓到48V輸出,再由變壓器將電壓從48降至1V。降壓變壓器以相同的比率加大電流,因此變壓器元件也可以稱為電流倍增器。在這種情況下,1安培的輸入電流將倍增至48安培的輸出電流。為了最大限度地減少大電流輸出的PDN損耗,電流倍增器必須小巧,以便盡可能靠近負(fù)載放置。PRM穩(wěn)壓器和VTM/MCM模組化電流倍增器結(jié)合,構(gòu)成Vicor分比式電源架構(gòu)。這兩個器件相互合作,各司其職,實現(xiàn)完整的DC-DC轉(zhuǎn)換功能。


    PRM通過調(diào)製未穩(wěn)壓的輸入電源提供穩(wěn)壓輸出電壓,即「分比式母線電壓」。該母線供電給VTM,由VTM將分比式母線電壓轉(zhuǎn)換為負(fù)載所需的電平。


    與IBA不同,F(xiàn)PA不通過串聯(lián)電感器從中繼母線電壓降壓至PoL。FPA不通過降低中間母線電壓來平均電壓,而是使用電流增益為1:48或更高的高壓穩(wěn)壓和電流倍增器模組,以提供更高的效率、更小的尺寸、更快的回應(yīng)和1000安培及以上的可擴(kuò)展性(圖二)。


    垂直放置PoL轉(zhuǎn)換器減少功耗耗散

    在前幾代大電流生成式AI處理器電源架構(gòu)中,PoL轉(zhuǎn)換器被放在處理器複合體的橫向(旁邊)位置。由於銅的電阻率和PCB上的走線長度,橫向放置的PoL供電網(wǎng)路(PDN)的集總阻抗相當(dāng)高,可能達(dá)到200μΩ或更高。隨著生成式AI訓(xùn)練處理器的連續(xù)電流需求增加到1000安培,這意味著PCB本身就會消耗掉200瓦的功率。考慮到在AI超級電腦中用於大型語言模型訓(xùn)練的加速器模組(AM)多達(dá)數(shù)千個,而且?guī)缀鯊牟粩嚯姡ǔ掷m(xù)運行10年或更長時間,這200瓦的功率損耗在整體上變得非常龐大。


    認(rèn)識到這種能源浪費後,AI電腦設(shè)計師已經(jīng)開始評估採用垂直供電(VPD)結(jié)構(gòu),將PoL轉(zhuǎn)換器直接放置在處理器複合體的下方。在垂直供電網(wǎng)路中,集總阻抗可能降至10μΩ或更低,這意味著在內(nèi)核電壓域1000安培的連續(xù)電流下,只會消耗10瓦的功率。也就是說,通過將PoL轉(zhuǎn)換器從橫向放置改為縱向放置,PCB的功耗減少了200–10=190瓦(WPCB)(圖三)。



    圖三 : 生成式AI加速模組從橫向(頂部)供電改為縱向(背部)供電,可將PDN損耗降低至1/20
    圖三 : 生成式AI加速模組從橫向(頂部)供電改為縱向(背部)供電,可將PDN損耗降低至1/20

    PD的另一個優(yōu)點是降低了GPU晶片表面電壓梯度,這也有助於節(jié)省電力。如前所述,典型的4奈米CMOS GPU的標(biāo)稱工作電壓為0.65VDD。使用橫向供電時,將電源提供給處理器複合體的四邊,由於積體電路的配電阻抗較高(通常使用電阻率高於銅的鋁導(dǎo)體),可能需要0.70V的電壓,才能確保GPU晶片中心的電壓達(dá)到標(biāo)稱值0.65V。而採用縱向供電時,可以確保整個晶片表面的電壓為0.65V。0.70–0.65=50 mV,這個差值乘以1000安培,可額外節(jié)省50瓦(WVDD)的功率。在本例中,節(jié)省的總功率為190 WPCB + 50 WVDD = 240瓦(圖四)。


    根據(jù)未來幾年公共領(lǐng)域?qū)铀倨髂=M(AM)需求的預(yù)測(2024年超過250萬件),以及對電力成本的合理估計(每兆瓦時75美元),每個AM節(jié)省240W電力,到2026年將在全球範(fàn)圍內(nèi)實現(xiàn)太瓦時的電力節(jié)省,相當(dāng)於每年節(jié)約數(shù)十億美元的電力營運成本,而且根據(jù)可再生能源的使用比例,每年還能永久性地減少數(shù)百萬噸的二氧化碳排放。



    圖四 : 使用VPD時,處理器晶片的表面電壓均勻,有助於最大限度地提高計算效能,同時最小化功率損耗。
    圖四 : 使用VPD時,處理器晶片的表面電壓均勻,有助於最大限度地提高計算效能,同時最小化功率損耗。

    遏制失控的生成式AI功耗

    Vicor正引領(lǐng)生成式AI供電技術(shù)的創(chuàng)新浪潮,所提供的分比式負(fù)載點轉(zhuǎn)換器解決方案有助於提升生成式AI處理器的功效,使生成式AI的功耗與社會層面的環(huán)境保護(hù)和節(jié)能目標(biāo)相一致。


    Vicor持續(xù)推動電源架構(gòu)的創(chuàng)新,並開發(fā)先進(jìn)的新產(chǎn)品,致力於解決生成式AI模型訓(xùn)練帶來的功耗增加問題。通過採用先進(jìn)的分比式電流倍增器方法進(jìn)行負(fù)載點DC-DC轉(zhuǎn)換,就可以充分發(fā)揮生成式AI優(yōu)勢,同時有效控制全球範(fàn)圍內(nèi)的能源消耗。


    (本文作者翁鴻裕為Vicor 臺灣總經(jīng)理)


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