先進節點的邏輯和記憶體裝置要求化學機械平坦化/研磨 (CMP) 制程具有極高的性能。鑒于非金屬 CMP 制程數量的快速增加和不斷多樣化，此類節點對該制程提出了新的要求，如更高的平坦化效率、接近零缺陷率以及制程成本的大大降低。為達到技術和經濟的雙重目標，需要高度可調節、可稀釋的CMP 研磨液以及相匹配的 CMP 研磨墊和研磨工藝。在先進的前段制程中將有不同材料層的組合（如氧化物、氮化物和多晶矽），各材料都需要研磨，各層分別要求不同的研磨率、選擇比和嚴格的制程控制。

這些新的多樣化需求需要新的研磨液配方。一組新的介電層 CMP 研磨液將接受檢測，該研磨液使用先進的凝膠狀二氧化矽磨料和先進添加劑來實現高研磨率、高平坦化效率和低缺陷率。這個新近已商品化的研磨液以濃縮液形式提供給客戶，以將總體擁有成本降至最低。使用端稀釋可將磨料濃度降至最低，而不會影響 CMP 性能和工藝穩定性。
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